本公司可以為客戶提供多種規(guī)格、高質(zhì)量的SOI硅片（Silicon On Insulator——絕緣體上硅），適用于客戶包括MEMS，功率器件，壓力傳感器和CMOS集成電路制造的廣泛應(yīng)用。 SOI晶圓為高速和低功耗器件提供了良好的解決方案，被廣泛認為是高壓和RF器件的新解決方案。 SOI晶圓是一種類似三明治(Sandwitch)的夾層式結(jié)構(gòu)，一共有三層；包括頂層（器件層），中間的埋氧層（為絕緣SiO2層）和底層的襯底（體硅）。 SOI晶圓采用SIMOX法和晶圓鍵合技術(shù)生產(chǎn)而成，從而可以實現(xiàn)更薄更精確的器件層，均勻的厚度均勻和缺陷密度低等目標。

本公司可提供直徑為2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圓，可選擇的寬闊電阻率范圍0.001~100,000 ohm-cm，從100nm(1000?)~300um的寬范圍器件層厚度可滿足眾多客戶獨特的SOI要求。

本公司強化廣泛合作以滿足客戶即時所求的需求，與國際多家生產(chǎn)商與分銷商建立了合作關(guān)系，搭建成全球zui大的SOI晶圓現(xiàn)貨供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)，此外為滿足科研及企業(yè)客戶早期研發(fā)的需求，可以承接10pcs起的定制訂單。

基于客戶多元化的強勁需求，我們與原廠通力合作，可以為客戶提供可定制的SOI晶圓：

》超厚SOI晶圓                                》腔體SOI Cavity SOI

》超薄SOI晶圓                                》雙面SOI Double SOI(DSOI)

》超均勻度SOI晶圓                            》多層SOI Multiple SOI

》超平SOI晶圓                                》 鍵合SOI Bonded SOI